氮化铟(III),英文名:Indium(III) nitride,CAS:25617-98-5,化学式:InN,分子量:128.82,密度:6.88 g/cm3,熔点:1900°C,MSDS.

25617-98-5 询问

氮化铟(III)(Indium(III) nitride)

CAS: 25617-98-5

化学式: InN

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中文名	氮化铟(III)
英文名	Indium(III) nitride
别名	氮化铟(III)
英文别名	Indium(III) nitride
CAS	25617-98-5
EINECS	247-130-6
化学式	InN
分子量	128.82
密度	6.88 g/cm3
熔点	1900°C
存储条件	室温
MDL号	MFCD00016152

25617-98-5 - 简介

氮化铟(III)是一种具有半导体性质的化合物。以下是关于氮化铟(III)的一些性质，用途，制法和安全信息：

性质：
- 氮化铟(III)是一种黑色固体，在室温下呈现金属光泽。
- 这种化合物具有半导体性质，可用于光电器件、激光器件和光电探测器等领域。

用途：
- 氮化铟(III)常被用作半导体材料，特别是在高频电子器件和光电子器件中应用广泛。
- 它还可能在太阳能电池和光电探测器等领域发挥作用。

制法：
- 氮化铟(III)通常是通过化学气相沉积（CVD）或分子束外延（MBE）等方法制备的。

安全信息：最后更新：2024-04-10 22:29:15